據(jù)媒體報(bào)道，內(nèi)存3月上旬合約價(jià)同步大漲，DRAM模塊合約價(jià)大漲15-23%，NAND閃存芯片亦大漲10%，其中嚴(yán)重缺貨的TLC芯片漲幅更高達(dá)57-58%。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查，3月上旬DRAM市場主流的4GB模組合約均價(jià)達(dá)23美元，漲幅達(dá)16.46%；2GB模組產(chǎn)品，因正值世代交替階段，供貨更不穩(wěn)定，帶動(dòng)合約均價(jià)攀高至13.75美元，漲幅超過20%。
有券商分析認(rèn)為今年以來DRAM及NAND價(jià)格持續(xù)調(diào)漲，除了市場需求轉(zhuǎn)強(qiáng)外，最大原因仍在于上游DRAM及NAND芯片廠無法開出足夠產(chǎn)能，導(dǎo)致市場供不應(yīng)求。過去2年DRAM及NAND廠并無興建新的生產(chǎn)線，今年就算擴(kuò)大資本支出，新生產(chǎn)線產(chǎn)能也要等到今年第4季后才會(huì)開出。
以DRAM來說，今年首季計(jì)算機(jī)銷售成績不佳，需求主要來自于采用標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的國內(nèi)白牌平板，推升現(xiàn)貨價(jià)一路拉高，而3月因進(jìn)入ODM/OEM廠的備貨旺季，在市場供給量不足的情況下，ODM/OEM廠拉高采購價(jià)格區(qū)間，因此推升3月下旬DRAM合約價(jià)大漲。
NAND芯片市場同樣呈現(xiàn)供不應(yīng)求，主要是受惠于行動(dòng)裝置及Ultrabook開始采用高容量eMMC或固態(tài)硬盤(SSD)，大幅去化NAND產(chǎn)能。3月以來，因?yàn)镸LC顆粒供給缺口擴(kuò)大到3成，現(xiàn)貨價(jià)不到半個(gè)月大漲逾20%，NAND廠將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)生產(chǎn)MLC，更導(dǎo)致TLC芯片在現(xiàn)貨市場幾乎斷貨，32Gb TLC NAND顆?，F(xiàn)貨價(jià)半個(gè)月內(nèi)已漲一倍。